-
1 [beta]-Grenzfrequenz
сущ.микроэл. граничная частота коэффициента передачи (базового) тока в схеме с общим эмиттером, граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером, предельная частота коэффициента передачи (базового) тока в схеме с общим эмиттером, предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером, частота бета-срезаУниверсальный немецко-русский словарь > [beta]-Grenzfrequenz
-
2 b-Grenzfrequenz
сущ.микроэл. граничная частота коэффициента передачи (базового) тока в схеме с общим эмиттером, граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером, предельная частота коэффициента передачи (базового) тока в схеме с общим эмиттером, предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером -
3 Emitter-Basis-Schaltung
сущ.1) радио. схема с заземлённым эмиттером, схема с общим эмиттеромУниверсальный немецко-русский словарь > Emitter-Basis-Schaltung
-
4 Emitterbasisschaltung
сущ.1) радио. схема с заземлённым эмиттером, схема с общим эмиттером2) электр. схема на транзисторе с общим эмиттеромУниверсальный немецко-русский словарь > Emitterbasisschaltung
-
5 Emittergrundschaltung
сущ.1) радио. схема с заземлённым эмиттером, схема с общим эмиттером2) электр. схема на транзисторе с общим эмиттеромУниверсальный немецко-русский словарь > Emittergrundschaltung
-
6 Basis-Emitter-Schleusenspannung
сущ.микроэл. прямое напряжение перехода база-эмиттер (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером), прямое напряжение перехода база эмиттер (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером)Универсальный немецко-русский словарь > Basis-Emitter-Schleusenspannung
-
7 Beta
сущ.1) микроэл. коэффициент усиления по (постоянному) току в схеме с общим эмиттером, коэффициент усиления базового тока (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером)2) австр. бета (буква греч. алфавита) -
8 Emitterschaltung
сущ.1) радио. схема (включения) эмиттера2) электр. схема с общим эмиттером3) микроэл. включение по схеме с общим эмиттером -
9 Basis-Emitter-Flußspannung
сущ.микроэл. прямое напряжение перехода база-эмиттер (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером), прямое напряжение перехода база эмиттер (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером)Универсальный немецко-русский словарь > Basis-Emitter-Flußspannung
-
10 Spannungsübertragungskennlinie
сущ.микроэл. статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы (в схеме с общим эмиттером), статическая характеристика зависимости коллекторного напряжения от напряжения эмиттера (в схеме с общей базой), статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы (в схеме с общим эмиттером)Универсальный немецко-русский словарь > Spannungsübertragungskennlinie
-
11 Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
граничная частота коэффициента передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Обозначение
fгр
ft
Примечание
Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
30. Граничная частота коэффициента передачи тока
D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
E. Transition frequency
F. Fréquence de transition
fгр
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
-
12 Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
- модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
│h21e│
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
-
13 Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики
D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung
E. Static value of the forward transconductance
F. Pente statique de transfert direct
y21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung
-
14 emittergeerdeter Transistor
прил.1) электр. транзистор с заземлённым эмиттером2) микроэл. транзистор в схеме с общим эмиттеромУниверсальный немецко-русский словарь > emittergeerdeter Transistor
-
15 Eingangskapazität
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Eingangskapazität
-
16 Ausgangskapazität
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ausgangskapazität
-
17 Rückwirkungskapazität
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
проходная емкость полевого транзистора
проходная емкость
Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C12и
C12ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Rückwirkungskapazität
-
18 Empfindlichkeitswinkelverteilung
угловая характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента.
Обозначение
S(θ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Empfindlichkeitswinkelverteilung
E. Responsivity directional distribution
F. Distribution directionnelle de la réponse
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64 - 74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность Sи и т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Suλ(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности SIEи токовая чувствительность к световому потоку SuФ (комбинация терминов 68 с 65 и 67).
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102 - 125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Empfindlichkeitswinkelverteilung
-
19 Basiseingangsschaltung
сущ.микроэл. схема с общим эмиттеромУниверсальный немецко-русский словарь > Basiseingangsschaltung
-
20 Basiseinschaltstrom
сущ.микроэл. включающий ток базы, входной включающий ток (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером)
См. также в других словарях:
Каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора (Схема с заземленным эмиттером) При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной … Википедия
Биполярный транзистор с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
Усилительный каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор эмиттер в схеме с общим эмиттером. Обозначение h11Э h11E [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN static value of the… … Справочник технического переводчика
Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — 19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la résistance d’entrée h11Э Отношение напряжения на входе транзистора к входному… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
включение транзистора по схеме с общим эмиттером — bendraemiteris tranzistoriaus jungimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. common emitter connection vok. Emittergrundschaltung, f; Emitterschaltung, f rus. включение транзистора по схеме с общим эмиттером, n pranc. connexion de… … Automatikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по постоянному току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter direct current gain vok. Gleichstromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain vok. Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
инверсный коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — apgrąžinis bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inverse grounded emitter current gain vok. inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
уменьшение коэффициента усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficiento mažėjimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain degradation vok. ß Abnahme, f rus. уменьшение коэффициента усиления транзистора по … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN collector to base current gaincommon emitter current gain … Справочник технического переводчика